PRESSURE EFFECTS ON THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE PARAMETERS

Автор(и)

  • Volodymyr Osadchuk Vinnytsia National Technical University
  • Oleksandr Osadchuk Vinnytsia National Technical University
  • Natalija Bilokon Vinnytsia National Technical University
  • Andriy Krivosheja Vinnytsia National Technical University

Ключові слова:

pressure, deformation, sensors, semiconductor

Анотація

Pressure effects on semiconductor structures are presented. Theoretical dependency of those effects on semiconductor structures electrophysical parameters is defined.

Біографії авторів

Volodymyr Osadchuk, Vinnytsia National Technical University

Dr. Sc (Eng) Prof., Head of department for electronics

Oleksandr Osadchuk, Vinnytsia National Technical University

Dr. Sc (Eng) Prof., Head of department for radio engineering

Natalija Bilokon, Vinnytsia National Technical University

Cand. Sc(Eng)., Ass.Prof. with the Department of electronics

Andriy Krivosheja, Vinnytsia National Technical University

Post graduate with the department of electronics

##submission.downloads##

Переглядів анотації: 363

Опубліковано

2015-12-01

Як цитувати

[1]
V. Osadchuk, O. Osadchuk, N. Bilokon, і A. Krivosheja, «PRESSURE EFFECTS ON THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE PARAMETERS», Scientific Works of Vinnytsia National Technical University, вип. 1, Груд 2015.

Номер

№ 1 (2009): 2009№1

Розділ

Automatics and Information Measuring Facilities

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>