PRESSURE SENSORS ON THE BASIS OF STRAIN-SENSING SEMI-CONDUCTOR ELEMENTS

Автор(и)

  • Volodymyr Osadchuk Vinnytsia National Technical University
  • Olexandyr Osadchuk Vinnytsia National Technical University
  • Andriy Kryvosheya Vinnytsia National Technical University

Ключові слова:

sensor, pressure sensors, pressure measurement, strain-sensing element

Анотація

Semi-conductor strain-sensing elements are analysed: strain gauges, strain-sensing diodes, strain-sensing transistors underlying pressure sensors, and also semi-conductor pressure sensors with frequency output on the basis of the given elements. Influence of pressure on the given semiconductor structure is shown.

Біографії авторів

Volodymyr Osadchuk, Vinnytsia National Technical University

the manager of the electronics department

Olexandyr Osadchuk, Vinnytsia National Technical University

the manager of the radio engineering department

Andriy Kryvosheya, Vinnytsia National Technical University

the post-graduate student of the electronics department

##submission.downloads##

Переглядів анотації: 224

Опубліковано

2015-12-02

Як цитувати

[1]
V. Osadchuk, O. Osadchuk, і A. Kryvosheya, «PRESSURE SENSORS ON THE BASIS OF STRAIN-SENSING SEMI-CONDUCTOR ELEMENTS», Scientific Works of Vinnytsia National Technical University, вип. 1, Груд 2015.

Номер

№ 1 (2008): 2008№1

Розділ

Radioelectronics and Radioelectronic Equipment Design

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають