MULTIFREQUENCY GENERATOR, BASED ON CAPACITANCE EFFECT OF FIELD –EFFECT TRANSSISTOR STRUCTURE WITH NEGATIVE RESISTNCE

Автор(и)

  • Oleksandr Osadchuk Vinnytsia National Technical University
  • Andriy Semenov Vinnytsia National Technical University
  • Костянтин Коваль Vinnytsia National Technical University

Ключові слова:

mathematical model, transistor structure, negative resistance, multifrequency generator, equivalent capacitance

Анотація

Investigation of multifrequency signals generator with complex spectral characteristic is carried out. Mathematical model has been obtained, experimental research and numerical modeling of multifrequency generator, based on capacitance effect of field-effect transistor structure with negative resistance have been performed.

Біографії авторів

Oleksandr Osadchuk, Vinnytsia National Technical University

Dc. Sc. (Eng.), Professor, Head of the Chair of Radioengineering

Andriy Semenov, Vinnytsia National Technical University

Assistant Professor, Department of Radioengineering

Костянтин Коваль, Vinnytsia National Technical University

Assistant, Department of Radioengineering

##submission.downloads##

Переглядів анотації: 251

Опубліковано

2015-11-30

Як цитувати

[1]
O. Osadchuk, A. Semenov, і К. Коваль, «MULTIFREQUENCY GENERATOR, BASED ON CAPACITANCE EFFECT OF FIELD –EFFECT TRANSSISTOR STRUCTURE WITH NEGATIVE RESISTNCE», Scientific Works of Vinnytsia National Technical University, вип. 2, Лис 2015.

Номер

№ 2 (2011): 2011№2

Розділ

Radioelectronics and Radioelectronic Equipment Design

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають