“QUALITY” ANALYSIS OF ONE-CRYSTAL IMMITANCE CONVERTERS

Автор(и)

  • Ludmila Lyschinska Vinnytsia Institute of Trade and Economics
  • Yana Rozhkova Vinnytsia National Technical University
  • Mykola Filiniuk Vinnytsia National Technical University

Ключові слова:

generalized immitance converter, unijunction transistor, bipolar transistor, field transistor, sensitivity coefficient, quality

Анотація

The paper presents the development of mathematical models of generalized immitance converters (GIC) that take into account the dependence of their converted immitances on the physical parameters of transistors. STk αi quality dependence on physical parameters of the abovementioned transistors is investigated.

Біографії авторів

Ludmila Lyschinska, Vinnytsia Institute of Trade and Economics

Сand. Sc. (Eng.), Assoc. Prof.

Yana Rozhkova, Vinnytsia National Technical University

Student of Vinnytsia national technical university

Mykola Filiniuk, Vinnytsia National Technical University

Dc. Sc. (Eng.), Prof

##submission.downloads##

Переглядів анотації: 211

Опубліковано

2015-11-30

Як цитувати

[1]
L. Lyschinska, Y. Rozhkova, і M. Filiniuk, «“QUALITY” ANALYSIS OF ONE-CRYSTAL IMMITANCE CONVERTERS», Scientific Works of Vinnytsia National Technical University, вип. 3, Лис 2015.

Номер

№ 3 (2010): 2010№3

Розділ

Automatics and Information Measuring Facilities

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.