TEMPERATURE CONVERTER BASED ON IGBT-BJT STRUCTURE WITH NEGATIVE RESISTANCE

Authors

  • Vladimir Osadchuk Vinnytsia National Technical University
  • Alexander Osadchuk Vinnytsia National Technical University
  • Sergiy Baraban Vinnytsia National Technical University

Keywords:

insulated gate bipolar transistor (IGBT), bipolar junction transistor (BJT), piroelectric, temperature converter, active oscillator, structure with negative resistance, emanation power transducer sensor, Piroelectric detector

Abstract

Abstract. The paper analyses modern development status of temperature converter on the basis of piroelectrics, represents and describes a new temperature converter on the basis of transistor structure with negative resistance, simulates current-voltage and frequency characteristic of this device in the software environment Pspice.

 

REFERENCES

1. Струков Б.А. Пироэлектрические материалы: свойства и применения // Соросовский образовательный журнал. - 1998. - №5. - С. 96-104

2. Виглеб Т. Датчики. – М.: Мир, 1989. – 196 с.

3. Гаврилова Н.Д. Пироэлектричество / Данилычева М.Н., Новик В.К. - М.: Сов. рад., 1989. – 154 с.

4. Новик В.К. Пироэлектрические преобразователи / Гаврилова Н.Д., Фельдман Н.Б. – М.: Советское радио, 1979. – 176 с.

5. Piroelectric detectors. Single element detectors. Basic line. – Dresden: Infra Tech GmbH, 1999. – 9 c.

6. Сигов А.С. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике // Соросовский образовательный журнал. - 1996. - №10. - С. 83-91

7. Piroelectric infrared sensor & sensor module. Catalog № S21E-5. – Tokyo: Murata Manufacturing Co., Ltd., International Division, 2002. – 18 c.

8. Осадчук В.С. Розробка мікроелектронних перетворювачів теплової потужності у частоту на основі транзисторних структур з від’ємним опором / Осадчук О.В., Барабан С.В., Ільченко О.М. // Інформаційні технології та комп’ютерна інженерія. – 2008 - №1 – С. 133 – 139.

9. Кісельов Є.М. Інтегровані датчики потужності випромінювань на основі комбінованих твердотільних структур: автореф. дис. на здобуття наук. ступеня канд. техн. наук; спец. 05.27.01 «Твердотільна електроніка»/ Є. М. Кісельов; Нац. тех. ун-т Укр. «КПІ». – Київ, 2006 – 20 с.: 8 іл. – Бібліогр.: C 17-18.

10. Костенко В.Л. Особенности построения корпоративных сетей интеллектуальных датчиков параметров технологических процессов / Швец Е.Я., Максименюк А.В., Киселев Е.Н. / Металлургия (сб. научных трудов) / отв. ред. Колесник Н.Ф., Колобов Г.А. – Запорожье: ЗГИА, 2003. – выпуск 8 – С. 146-148.

Author Biographies

Vladimir Osadchuk, Vinnytsia National Technical University

Academician of AISU, Doctor of Technical Sciences, Professor, Head of Department of Electronics

Alexander Osadchuk, Vinnytsia National Technical University

Doctor of Technical Sciences, Professor, Head of Department of Radioengineering

Sergiy Baraban, Vinnytsia National Technical University

Post-Graduate student with the Department of Radioengineering

Downloads

Abstract views: 154

Published

2015-12-02

How to Cite

[1]
V. Osadchuk, A. Osadchuk, and S. Baraban, “TEMPERATURE CONVERTER BASED ON IGBT-BJT STRUCTURE WITH NEGATIVE RESISTANCE”, Works of VNTU, no. 2, Dec. 2015.

Issue

Section

Radioelectronics and Radioelectronic Equipment Design

Metrics

Downloads

Download data is not yet available.