ANALYSIS OF CURRENT ACHIEVEMENTS IN THE CREATION OF INFORMATION DEVICES ON THE BASIS OF UNIJUNCTION TRANSISTOR STRUCTURES
Keywords:
information devices, unijunction transistor structure, unijunction transistorAbstract
The analysis of current achievements in the creation of information devices on the basis of unijunction transistor structures is conducted; their advantages and drawbacks are identified. Recommendations on the improvement of information devices have been elaborated.
REFERENCES
1. Silicon unijunction transistor 2N2646. Philips Semiconductors. Preliminary specification. [Електронний ресурс] // Режим доступу: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/2N2646.pdf.
2. 2N2647 Silicon PN unijunction transistor. ASI. Advanced semiconductor. [Електронний ресурс] // Режим доступу: http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/Componentes/2N2647.pdf.
3. 2N2647. Motorola Semiconductor Datasheet Library. [Електронний ресурс] // Режим доступу: http://www.datasheetarchive.com/2N2647-datasheet.html.
4. 2N6027, 2N6028. Programmable unijunction transistor. Semiconductors components industries. [Електронний ресурс] // Режим доступу: www.solarbotics.net/library/datasheets/2N602X.pdf.
5. Філинюк М. А. Інформаційні пристрої на основі потенційно-нестійких багатоелектродних напівпровідникових структур Шотткі: монографія / М. А. Філинюк, О. М. Куземко, Л. Б. Ліщинська. – Вінниця: ВНТУ, 2009. – 274 с.
6. Васюра А. С. Елементи та пристрої сис
тем управління автоматики / В. С. Васюра. – Вінниця: ВДТУ, 1999. – 420 с. 7. Осадчук В. С. Напівпровідникові прилади з від’ємним опором / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця : ВНТУ, 2006. – 162 с.
8. Патент Российской Федерации 2031554, МПК6 Н 05 В 39/02. Осветительное устройство / Филиппов А. Н., Машков А. С., Пушкин Н. М.; заявитель и патентообладатель Научно-исследовательский институт измерительной техники. – № 5054391/07 ; заявл. 14.07.92; опубл. 20.03.95.
9. Патент 51719 України, МПК6 G 05 F 1/44. Пристрій для регулювання світлового режиму в пташниках / Берека О. М., Жулай Е. Л. ; заявник та патентовласник Національний аграрний університет. – № 99021126; INFORMATIONAL TECHNOLOGIES AND COMPUTER ENGINEERING
10. Патент Российской Федерации 15432, МПК7 Н 02 J 7/10. Устройство для заряда аккумуляторной батареи / Лившин Г. Д,, Ременик Д. М., Дмитриев В. П., Меркулов А. С. ; заявитель и патентообладатель Общество с ограниченной ответственностью "КОСМОС-ЭНВО". – № 2000109049/20; заявл. 12.04.2000; опубл. 10.10.2000.
11. Патент Российской Федерации 1306435, МПК6 Н 02 Р 9/30. Тиристорный регулятор напряжения генератора переменного тока / Нечаев А. В., Рябов А. Д. – № 3828578/07; заявл. 20.12.84; опубл. 10.09.99.
12. Патент 60442 А України, МПК6 Е 21 В 43/25, E 21 B 47/12. Заглибний свердловинний пристрій / Курашко Ю. І, Кліманський М. М., Лазун А. Ф. заявник та патентовласник Інститут імпульсних процесів і технологій Національної академії наук України. – № 2002075822; Заявл. 15.07.02; Опубл. 15.10.03, Бюл. №10.
13. Осадчук В. С. Сенсори тиску і магнітного поля. Монографія / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2005. – 207 с.
14. Викулина Л. Ф. Физика сенсоров температуры и магнитного поля / Л. Ф. Викулина, М. А. Глауберман. – Одесса: Маяк, 2000. – 156 с.
15. Гуменюк С. В. Интегральные полупроводниковые магнито чувствительные датчики / С. В. Гуменюк, Б. И. Подлепецкий // Зарубежная электронная техника. – 1989. – № 12(343). – С. 3 – 47.
16. Горти З. Ю. Мікроелектронні сенсорні пристрої магнітного поля. За редакцією З. Ю. Горти. – Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001. – 412 с.
17. Преобразователи давления с частотным выходом на основе однопереходных транзисторов / Г. Г. Бабичев, Г. И. Гаврилюк, Э. А. Зинченко [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 3. – С. 48 – 51.
18. Кремниевый однопереходный тензотранзистор / Бабичев Г. Г., Козловский С. И., Романов В. А., Шаран Н. Н. [и др.] – Журнал технической физики. – 2002. – № 4. – С. 66 – 71.
19. Converter of pressure with frequency output on the base of unijunction tenso-transistors / Babichev G. G., Gavrylyuk G. P. [etc.] – Technology and design in electronic devices. – 2004. – № 3. – Р. 48 – 51.
20. Викулин И. М. Фотоприемник на основе однопереходного и полевого транзисторов / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, В. А. Мингалев // Sensors Electronics and Microsystems Technologies. – 2006. – № 4. – P. 28 – 30.
21. Фотоприемник на основе однопереходного транзистора и фотодиода / Викулин И. М., Курмашев Ш. Д., Никифоров С. Н., Панфилов М. И. [и др.] Фотоэлектроника. О.: Астропринт, 2008. – № 17 . – С. 88 – 90.
22. Патент 20016 України, МПК6 H 01 L 31/10. Одноперехідний фототранзистор / Вікулін І. М., Курмашев Ш. Д., Никифоров С. М., Панфілов М. І. ; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова. – № u200606237; заявл. 05.06.06; опубл. 15.01.07, Бюл. № 1.
23. Датчики температуры на основе однопереходного и полевого транзисторов при радиационном воздействии / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, П. Ю. Марколенко [и др.] // Sensors Electronics and Microsystems Technologies. – 2009. – № 2. – p. 18 – 21.
24. Патент 49256 України, МПК6 H 01 L 29/82. Магніточутливий сенсор / Вікулін І. М., Вікуліна Л. Ф., Курмашев Ш. Д. ; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова.– № u200910777; заявл. 26.10.09; опубл. 26.04.10, Бюл. № 8.
25. Патент 30179 А України, МПК6 G 01 K 13/00, A61B 5/02. Пристрій для реєстрації теплових властивостей шкіри / Логінов В. В., Русяєв В. Ф. ; заявник та патентовласник Кримський медичний університет ім. С. І. Георгієвського. – № 98010211; заявл. 15.01.1998; опубл. 15.11.2000, Бюл. № 6.
26. Патент 19977 України, МПК H 01 L 29/00. Одноперехідний тензотранзистор / Вікулін І. М., Курмашев Ш. Д., Мінгальов В. О., Никифоров С. М. ; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова.– № u200605556; заявл. 22.05.06; опубл. 15.01.07, Бюл. № 1.
27. Патент 53618 України, МПК6 H 01 L 9/04. Одноперехідний тензотранзистор / Курмашев Ш. Д., Вікулін І. М., Сидорець Р. Г. ; заявник та патентовласник Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова.– № u201004826; заявл. 22.04.10; опубл. 11.10.10, Бюл. № 19.
28. Дьяконов В. П. Однопереходные транзисторы и их аналоги / В. П. Дьяконов. – М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2008. – 240 с.
29. Петров А. Азбука транзисторной схемотехники / А. Петров // Радиолюбитель. – 1994. – № 12. – С. 12 – 14.
30. Патент Российской Федерации 2087069, МПК6 H 03 K 3/351. Генератор импульсов / Иванов С. М., Сонин А. Ф., Тимофеев В. М. ; заявитель и патентообладатель Московский институт теплотехники.– № 3828578/07; Заявл. 12.04.94; Опубл. 10.08.97.
31. Осадчук В. С. Напівпровідникові прилади з від’ємним опором / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця : ВНТУ, 2006. – 162 с.
32. Salivahanan S. Electronic Devices and Circuits / S. Salivahanan, N. Suresh Kumar, A. Vallavaraj. – Tata McGraw-Hill, 2008. – 951 p.
33. Mothiki S. Pulse and digital circuits / S. Mothiki, R. Prakash. – Tata McGraw-Hill, 2006. – 671 p.
34. Філинюк М. А. Основи негатроніки. Прикладні аспекти / М. А. Філинюк. – Вінниця: УНІВЕРСУМ- Вінниця, 2006. – 306 с.
35. Узагальнені перетворювачі іммітансу на основі інжекційно-пролітної транзисторної структури із загальним витоком [Електронний ресурс] / Ліщинська Л. Б., Булига І. В., Шведюк А. Г., Філинюк Н. А. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2008. – № 2. Режим доступу до журн.: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2008-2/2008-2.files/uk/08lblsts_uk.pdf.
36. Дослідження узагальнених перетворювачів іммітансу на базі одноперехідного транзистора від параметрів його фізичної еквівалентної схеми [Електронний ресурс] / Ліщинська Л. Б., Барабан М. В., Рожкова Я. С. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2010. – № 2. Режим доступу до журн.: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2010-2/2010-2.files/uk/10lblpec_ua.pdf
37. Дослідження “якості” одно кристальних конверторів імітансу [Електронний ресурс] / Ліщинська Л. Б., Рожкова Я. С., Філинюк М. А. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2010. – № 3. Режим доступу до журн.: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2010_3/2010-3.files/uk/10llboic_ua.pdf.
Downloads
-
PDF
Downloads: 200